Завод полупроводников компании “Самсунг Электроникс” будет введен в строй в 2017 году благодаря инвестициям в размере 15.6 трлн. вон. Фабрика будет выпускать чипы динамической памяти с произвольным доступом, а производственные мощности завода будут корректироваться в соответствии с рыночными условиями.
Завод, в который запланировано инвестиций больше, чем в какой-либо другой объект полупроводникового бизнеса компании “Самсунг Электроникс”, в два раза просторнее своего завода в Кихеюнге и может вместить до пяти производственных линий по выпуску полупроводников.
Доля компании на всемирном рынке динамической памяти ОЗУ в четвертом квартале прошлого года составила 41%. Если компания увеличивает свои поставки на 10%, то увеличиваются и глобальные поставки динамических ЗУ с произвольной выборкой примерно на 4%.
В то же время, компания планирует добавить на свои объекты в г. Сиань (Китай) две линии по выпуску флэш-памяти типа И-НЕ. Самсунг Электроникс не будет больше создавать завод по выпуску флэш-памяти типа НЕ-И, а сосредоточиться с этого момента на памяти типа V-NAND. Максимальная месячная производственная мощность завода в Сиане увеличится с 40 000 до 300 000 слоистых листов как только строительство двух линий будет завершено.
По мнению отраслевых экспертов, стратегия количественного роста компании “Самсунг Электроникс” ведет к увеличению ее доминирования на рынке, ее доли на рынке памяти. В 2011 году доля компании на рынке DRAM составляла 42%, однако, снизилась до 41% в следующем году, и до 36% в 2013 году.